Bo công suất xe nâng điện – Linh kiện bán dẫn IGBT
IGBT hay còn gọi là bo công suất được sử dụng khá phổ biến trong các loại xe nâng điện nhờ các ưu điểm đóng ngắt dòng điện một cách nhanh chóng, nó có thể kiểm soát được dòng tải lớn tránh tối đa sự cố sụt áp. Ngoài ra với thiết kế nhỏ gọn, cách điện tốt, tiết kiệm điện khiến cho IGBT được sử dụng rộng rãi trên các dòng xe nâng điện mới hiện nay như Nichiyu, Linde, TCM, Komatsu, Nissan…
Bo công suất TCM FUJI 1MBI600NN-060 2MBI100N-060-03 100A-600V SQD400BA60
Bo công suất TCM MG400J1US51 CM450HA-5F CM600HA-5F
Bo công suất TCM NICHIYU FM400TU-2A CM400DU-5F CM600DU-5F
Bo công suất NICHIYU FM400TU-07A NICHIYU KOMATSU FM600TU-07A TOYOTA TSM002 24271-13300-71
Công suất xe nâng DD100GB40-CM75DY-12H SHINCO 1D300A-030
Công suất xe nâng 2RI100E-030 100G6P43 MCD-72-08108B
Công suất xe nâng QM500HA-H 92-2015 SHINKO 1D5004-030A
Công suất xe nâng Komatsu QM600HD-M Mitsubishi-CM600HU-12F Nissan PDM5001
BO CÔNG SUẤT MITSUBISHI CM400DU-12H CM400DU-5F CM300DU-12F CM600HU-24F
BO CÔNG SUẤT TOSHIBA MG400H1FK1
BO CÔNG SUẤT RM200CY-24S CM200DY-24A
Bo công suất TCM FUJI 1MBI600NN-060 2MBI100N-060-03 100A-600V SQD400BA60
Bo công suất TCM MG400J1US51 CM450HA-5F CM600HA-5F
Bo công suất TCM NICHIYU FM400TU-2A CM400DU-5F CM600DU-5F
Bo công suất NICHIYU FM400TU-07A NICHIYU KOMATSU FM600TU-07A TOYOTA 24271-13300-71
Công suất xe nâng DD100GB40-CM75DY-12H 1D300A-030
Công suất xe nâng 2RI100E-030 100G6P43 MCD-72-08108B
Công suất xe nâng QM500HA-H 92-2015 SHINKO 1D5004-030A
Công suất xe nâng komatsu QM600HD-M mitsubishi-CM600HU-12F Nissan PDM5001
Cấu tạo, nguyên lý hoạt động IGBT.
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.
Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.